SENTECH电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统 SI500

ow damage for nano structuring 纳米结构低损伤刻蚀
由于等离子的能量分布低，从而能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。
Simple high rate etching 简单高速率刻蚀
MEMS制造工艺中，Si材料光滑侧壁的高速高选择比刻蚀，可以很容易的通过室温或低温工艺实现。
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